Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -40 °C
- Ambalaj
- Tube
- Paket
- Bulk
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Pin Sayısı
- 25
- Additional Feature
- AVALANCHE RATED
- Igbt Type
- Trench Field Stop
- Ürün Durumu
- Active
- Parça Durumu
- Active
- Yayın Yılı
- 2006
- Input Capacitance
- 3.15nF
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Current Collector Cutoff Max
- 250μA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 600V
- Input Capacitance Cies Vce
- 3.15nF @ 25V
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kılıf / Paket
- SP3
- Lifecycle Status
- Production (Last Updated: 2 months ago)
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SP3
- Configuration
- Dual Boost Chopper
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 175 °C
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 600V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Turn On Time
- 170 ns
- Pd Power Dissipation
- 176 W
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Max Collector Current
- 80A
- Turn Off Timenom Toff
- 310 ns
- Jesd30 Code
- R-XUFM-X25
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 100 C
- Max Power Dissipation
- 176W
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Power Max
- 176W
- Pin Sayısı
- 32
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 600 V
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules