APTGT50DA170T1G

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

SP1

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Cies Vce

4.4nF @ 25V

Vceon Max Vge Ic

2.4V @ 15V, 50A

Element Configuration

Single

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.7kV

JESD-609 Kodu

e1

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Collector Cutoff Max

250μA

Terminal Formu

THROUGH-HOLE

Input Capacitance

4.4nF

Yayın Yılı

2012

Parça Durumu

Obsolete

Fabrika Tedarik Süresi

22 Weeks

Pin Sayısı

12

Igbt Type

Trench Field Stop

Transistor Application

MOTOR CONTROL

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1700V

Power Max

312W

Max Power Dissipation

312W

Terminal Pozisyonu

UPPER

Max Collector Current

75A

Turn Off Timenom Toff

1100 ns

Montaj Tipi

Chassis Mount

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

RoHS

Compliant

Montaj

Chassis Mount, Screw

Input

Standard

Turn On Time

450 ns

Ntc Thermistor

Yes

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

2.4V

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

1

Case Connection

ISOLATED

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)