Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- SP1
- Lifecycle Status
- Production (Last Updated: 2 months ago)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Input Capacitance Cies Vce
- 3.6nF @ 25V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 1.2kV
- Current Collector Cutoff Max
- 250μA
- Terminal Formu
- THROUGH-HOLE
- Input Capacitance
- 3.6nF
- Yayın Yılı
- 2012
- Ürün Durumu
- Active
- Parça Durumu
- Active
- Igbt Type
- Trench Field Stop
- Technology
- Si
- Pin Sayısı
- 12
- Transistor Application
- MOTOR CONTROL
- Ambalaj
- Tube
- Paket
- Bulk
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Turn Off Timenom Toff
- 610 ns
- Max Collector Current
- 75A
- Gateemitter Voltagemax
- 20V
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Pd Power Dissipation
- 277 W
- Turn On Time
- 140 ns
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2.1V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Configuration
- Half Bridge
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SP1
- Vceon Max Vge Ic
- 2.1V @ 15V, 50A
- Element Configuration
- Dual
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TJ
- JESD-609 Kodu
- e1
- Temel Ürün No
- APTGT50
- Fabrika Tedarik Süresi
- 36 Weeks
- Ürün Tipi
- IGBT Modules
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules