APTGT200DH120G

Teknik Özellikler

Input

Standard

Max Collector Current

280A

Currentcollector Ic Max

280 A

Ürün Durumu

Active

Kılıf / Paket

SP6

Birim Ağırlık

3.880136 oz

Collector Emitter Voltage Vceo Max

1.2 kV

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Temel Ürün No

APTGT200

Gateemitter Leakage Current

500 nA

Input Capacitance Cies Vce

14nF @ 25V

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Pozisyonu

UPPER

Pd Power Dissipation

890 W

Ambalaj

Tube

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Power Max

890W

Configuration

Asymmetrical Bridge

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Continuous Collector Current At25 C

280 A

Terminal Sayısı

8

Input Capacitance

14nF

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Fabrika Paket Adedi

1

Turn Off Timenom Toff

610 ns

Element Configuration

Dual

Turn On Time

340 ns

Pin Sayısı

8

RoHS

Details

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150 °C

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Igbt Type

Trench Field Stop

Max Power Dissipation

890W

Case Connection

ISOLATED