Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1.7 V
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Vceon Max Vge Ic
- 2.1V @ 15V, 150A
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Parça Durumu
- Active
- Paket
- Bulk
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Continuous Collector Current
- 220
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.2kV
- Ntc Thermistor
- Yes
- Qualification Status
- Not Qualified
- Number Of Elements
- 2
- Montaj Stili
- Chassis Mount
- Igbt Type
- Trench Field Stop
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 1.2kV
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150 °C
- RoHS
- Details
- Pin Sayısı
- 20
- Turn On Time
- 335 ns
- Element Configuration
- Dual
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Lifecycle Status
- Production (Last Updated: 2 months ago)
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Yayın Yılı
- 2009
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Pin Sayısı
- 25
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SP3
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 100 C
- Case Connection
- ISOLATED
- Current Collector Cutoff Max
- 250μA
- Max Power Dissipation
- 833W
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TJ
- Transistor Element Material
- SILICON
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -40 °C
- Configuration
- Half Bridge
- Power Max
- 833W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 36 Weeks
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules