APTGT100A60T1G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Configuration

Half Bridge

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Gateemitter Voltagemax

20V

Power Max

340W

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn Off Timenom Toff

370 ns

Terminal Sayısı

12

Input Capacitance

6.1nF

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

600 V

Kurşunsuz Kodu

yes

Input Capacitance Cies Vce

6.1nF @ 25V

Temel Ürün No

APTGT100

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Kılıf / Paket

SP1

Vcesatmax

1.9 V

Ürün Durumu

Active

Currentcollector Ic Max

150 A

Input

Standard

Max Collector Current

150A

Terminal Pozisyonu

UPPER

Terminal Formu

THROUGH-HOLE

Montaj

Chassis Mount, Screw

Vceon Max Vge Ic

1.9V @ 15V, 100A

Radyasyon Dayanımı

No

Paket

Bulk

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e1

Transistor Application

MOTOR CONTROL

Continuous Collector Current

150

Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Ntc Thermistor

Yes

Number Of Elements

2

Igbt Type

Trench Field Stop

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175 °C

RoHS

Compliant