
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ntc Thermistor
- Yes
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2.3V
- Power Dissipationmax Abs
- 250 W
- Montaj Stili
- Chassis Mount
- Number Of Elements
- 1
- Risk Rank
- 5.73
- Collector Currentmax Ic
- 150 A
- Vceon Max Vge Ic
- 2.3V @ 15V, 75A
- Montaj
- Through Hole
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1.85 V
- Parça Durumu
- Active
- Paket
- Bulk
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Yayın Yılı
- 2012
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Package Description
- ,
- Max Power Dissipation
- 250W
- Turn On Delay Time
- 19 ns
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SP1
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 100 C
- Üretici Parça No
- APTGLQ75H65T1G
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 650V
- Igbt Type
- Trench Field Stop
- Collectoremitter Voltagemax
- 650 V
- Pin Sayısı
- 1
- RoHS
- Details
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Continuous Collector Current At25 C
- 100 A
- Input Capacitance
- 4.62nF
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 650 V
- Ihs Manufacturer
- MICROSEMI CORP
- REACH Uyumluluk Kodu
- compliant
- Power Max
- 250W
- Gateemitter Voltagemax
- 20V
- Configuration
- Full Bridge
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~175°C TJ
- Part Life Cycle Code
- Active
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules

