
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Input Capacitance Cies Vce
- 4.4nF @ 25V
- Gateemitter Leakage Current
- 150 nA
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 1.2 kV
- Temel Ürün No
- APTGLQ75
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Ürün Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- SP1
- Birim Ağırlık
- 2.821917 oz
- Input
- Standard
- Max Collector Current
- 130A
- Turn Off Delay Time
- 290 ns
- Currentcollector Ic Max
- 130 A
- Ambalaj
- Tube
- Pd Power Dissipation
- 385 W
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~175°C TJ
- Gateemitter Voltagemax
- 20V
- Power Max
- 385W
- Configuration
- Full Bridge
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 36 Weeks
- Continuous Collector Current At25 C
- 130 A
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 1200V
- Input Capacitance
- 4.4nF
- Power Dissipation
- 385
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 1.2kV
- Igbt Type
- Trench Field Stop
- Pin Sayısı
- 1
- RoHS
- Details
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Yayın Yılı
- 2012
- Current Collector Cutoff Max
- 50μA
- Turn On Delay Time
- 30 ns
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 100 C
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SP1
- Max Power Dissipation
- 385W
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules

