APT70GR120L

Teknik Özellikler

Ürün Tipi

IGBT Transistors

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Element Configuration

Single

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55 °C

Gateemitter Voltagemax

30V

Vceon Max Vge Ic

3.2V @ 15V, 70A

Collector Emitter Voltage Vceo

3.2V

Max Power Dissipation

961W

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-264

Max Collector Current

160A

Ambalaj

Tube

Td Onoff25c

33ns/278ns

Technology

Si

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Test Conditions

600V, 70A, 4.3 Ω, 15V

Current Collector Pulsed Icm

280A

Switching Energy

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

Igbt Type

NPT

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Through Hole

Lifecycle Status

Production (Last Updated: 1 month ago)

Gate Charge

544nC

Montaj Tipi

Through Hole

Fabrika Paket Adedi

1

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150 °C

Temel Ürün No

APT70GR120

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

RoHS

Compliant

Power Max

961W

Kılıf / Paket

TO-264-3, TO-264AA

Currentcollector Ic Max

160 A

Giriş Tipi

Standard

Yayın Yılı

2001

Kurşunsuz

Lead Free

Ürün Durumu

Active

Gateemitter Thr Voltagemax

6.5V

Paket

Tube