APT68GA60B2D40

Teknik Özellikler

Additional Feature

LOW CONDUCTION LOSS

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Collector Pulsed Icm

202A

Number Of Elements

1

Case Connection

COLLECTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tube

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55 °C

Vceon Max Vge Ic

2.5V @ 15V, 40A

Collector Emitter Voltage Vceo

2.5V

Collectoremitter Saturation Voltage

2

Element Configuration

Single

Ürün Tipi

IGBT Transistors

Seri

POWER MOS 8™

Paket

Tube

Ürün Durumu

Active

Power Max

520W

Currentcollector Ic Max

121 A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150 °C

Pin Sayısı

3

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Fabrika Paket Adedi

1

Continuous Collector Current

121

Turn Off Timenom Toff

304 ns

Lifecycle Status

Production (Last Updated: 2 months ago)

Switching Energy

715μJ (on), 607μJ (off)

Igbt Type

PT

Montaj

Through Hole

Test Conditions

400V, 40A, 4.7 Ω, 15V

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Qualification Status

Not Qualified

Td Onoff25c

21ns/133ns

Technology

Si

Max Power Dissipation

520W

Power Dissipation

520

Max Collector Current

121A

JESD-609 Kodu

e1