
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tube
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Power Max
- 347W
- Case Connection
- ISOLATED
- Ürün Durumu
- Obsolete
- Ntc Thermistor
- No
- Continuous Collector Current
- 75
- Max Collector Current
- 75A
- Yayın Yılı
- 2006
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Montaj Stili
- Through Hole
- Pd Power Dissipation
- 347 W
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Turn Off Timenom Toff
- 610 ns
- Continuous Collector Current At25 C
- 75 A
- Vceon Max Vge Ic
- 2.1V @ 15V, 50A
- Terminal Sayısı
- 4
- Number Of Elements
- 1
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Paket
- Bulk
- Transistor Element Material
- SILICON
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 1200V
- Power Dissipation
- 347
- Gateemitter Leakage Current
- 500 nA
- Input Capacitance Cies Vce
- 3.6nF @ 25V
- Additional Feature
- AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Birim Ağırlık
- 1.058219 oz
- Kılıf / Paket
- ISOTOP
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1.7 V
- Turn On Time
- 135 ns
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Configuration
- Single
- Input Capacitance
- 3.6nF
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Gateemitter Voltagemax
- 20V
- Currentcollector Ic Max
- 75 A
- Max Power Dissipation
- 347W
- Igbt Type
- Trench Field Stop
- Parça Durumu
- Obsolete
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules

