APT50GT120JRDQ2

Teknik Özellikler

Transistor Application

POWER CONTROL

Turn On Time

73 ns

Kılıf / Paket

ISOTOP

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Ürün Tipi

IGBT Transistors

Input Capacitance Cies Vce

2.5nF @ 25V

Additional Feature

UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY

Gateemitter Leakage Current

300 nA

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Paket

Tube

Number Of Elements

1

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Sayısı

4

Vceon Max Vge Ic

3.7V @ 15V, 50A

Continuous Collector Current At25 C

72 A

Turn Off Timenom Toff

305 ns

Montaj Tipi

Chassis Mount

Pd Power Dissipation

379 W

Maks. Çalışma Sıcaklığı

+ 150 C

Montaj Stili

Screw Mount

Yayın Yılı

2005

Max Collector Current

72A

Akım Değeri

110A

Ntc Thermistor

No

Ürün Durumu

Obsolete

Case Connection

ISOLATED

JESD-609 Kodu

e1

Power Max

379W

Ambalaj

Tube

Terminal Pozisyonu

UPPER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

4

Pin Sayısı

4

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Fabrika Paket Adedi

1

Collector Emitter Voltage Vceo

3.7V

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Collector Emitter Voltage Vceo Max

1.2 kV

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ