2N6987

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Jedec95 Code

TO-116

Max Collector Current

600mA

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 150mA 10V

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~200°C TJ

Ambalaj

Bulk

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Terminal Sayısı

14

Lifecycle Status

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

Vce Saturation Max Ib Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Collector Base Voltage Vcbo

60V

JESD-609 Kodu

e0

Current Collector Cutoff Max

10μA ICBO

Number Of Elements

4

Transistor Type

4 PNP (Quad)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

no

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

1.5W

Kılıf / Paket

14-DIP (0.300, 7.62mm)

Contact Plating

Lead, Tin

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2002

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Power Max

1.5W

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Configuration

SINGLE

Montaj Tipi

Through Hole

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Qualification Status

Not Qualified

Polaritychannel Type

PNP

Terminal Pozisyonu

DUAL

Jesd30 Code

R-XDIP-T14

Montaj

Through Hole

Collector Emitter Voltage Vceo

1.6V