Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS
- N
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 400mV
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Ürün Durumu
- Active
- Currentcollector Ic Max
- 600mA
- Technology
- Si
- Pin Sayısı
- 6
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 200°C
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 40V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- 6-Flatpack
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Montaj
- Surface Mount
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Paket
- Bulk
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 400mV @ 15mA, 150mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 150mA 10V
- Temel Ürün No
- 2N380
- Ürün Tipi
- BJTs - Bipolar Transistors
- Power Max
- 350mW
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 40V
- Ambalaj
- Bulk
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Max Collector Current
- 600mA
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Kılıf / Paket
- 6-FlatPack
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors