Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Collector Current
- 50mA
- Power Dissipation
- 350mW
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5V
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1mA 5V
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Terminal Sayısı
- 8
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- JESD-609 Kodu
- e0
- Ambalaj
- Bulk
- Number Of Elements
- 2
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Jesd30 Code
- O-MBCY-W8
- Terminal Formu
- WIRE
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Montaj
- Surface Mount, Through Hole
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Pin Sayısı
- 6
- Polarity
- PNP
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 100μA, 1mA
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Yayın Yılı
- 2007
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Parça Durumu
- Obsolete
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors