2N3811

Teknik Özellikler

Additional Feature

LOW NOISE

Montaj

Through Hole

Pin Sayısı

8

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Kılıf / Paket

TO-78-6 Metal Can

Current Collector Cutoff Max

10μA ICBO

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

HTS Kodu

8541.21.00.95

Frequency Transition

100MHz

Yayın Yılı

2007

Power Max

350mW

Max Collector Current

50mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 1mA 5V

Ambalaj

Bulk

Number Of Elements

2

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Maks. Çalışma Sıcaklığı

200 °C

Yüzey Montaj

NO

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65 °C

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Qualification Status

Not Qualified

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

60V

Polaritychannel Type

PNP

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

350mW

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 100μA, 1mA

RoHS

Compliant

Pin Sayısı

6

Currentcollector Ic Max

50mA

Kurşunsuz Kodu

no

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~200°C TJ

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Parça Durumu

Obsolete

Collector Base Voltage Vcbo

60V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Transistor Application

AMPLIFIER