Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 350mW
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Max Collector Current
- 50mA
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 250mV
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Terminal Sayısı
- 8
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 150 @ 1mA 5V
- Number Of Elements
- 2
- Ambalaj
- Bulk
- JESD-609 Kodu
- e0
- Terminal Formu
- WIRE
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Jesd30 Code
- O-MBCY-W8
- Montaj
- Through Hole
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Pin Sayısı
- 8
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Polaritychannel Type
- PNP
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 100μA, 1mA
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Pin Sayısı
- 6
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- ECCN Kodu
- EAR99
- Lifecycle Status
- IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
- Yayın Yılı
- 2007
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors