
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Üretici Parça No
- 2N2919U
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 150 @ 1mA 5V
- Fabrika Paket Adedi
- 10000
- Temperature Coefficient
- 200 PPM / C
- Package Style
- SMALL OUTLINE
- Power Dissipation
- 350mW
- Max Collector Current
- 30mA
- Power Max
- 350mW
- Package Body Material
- PLASTIC/EPOXY
- Package Description
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 155 C
- Dc Current Gainmin Hfe
- 150
- Lead Spacing
- 0.5 mm
- REACH Uyumluluk Kodu
- compliant
- Number Of Elements
- 2
- Ambalaj
- Bulk
- Birim Ağırlık
- 0.000027 oz
- Number Of Terminals
- 6
- Transistor Element Material
- SILICON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ihs Manufacturer
- MICROSEMI CORP
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Montaj
- Surface Mount
- Number Of Resistors
- 4
- Yayın Yılı
- 2007
- Voltage Rating
- 50 V
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Polarity
- NPN
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Kılıf / Paket
- 3-SMD, No Lead
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yükseklik
- 0.45 mm
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Temel Ürün No
- 2N2919
- Collectoremitter Voltagemax
- 60 V
- Terminal Sayısı
- 6
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Reflow Temperaturemax S
- 20
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

