SG2013J-883B

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

DUAL

Radyasyon Dayanımı

Yes

Lifecycle Status

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

Terminal Sayısı

16

Currentcollector Ic Max

600mA

Kılıf / Paket

CDIP

Ambalaj

Tube

Montaj Tipi

Through Hole

Montaj

Through Hole

Polaritychannel Type

NPN

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Additional Feature

CMOS COMPATIBLE

Transistor Application

AMPLIFIER

Qualification Status

Not Qualified

Number Of Elements

7

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Reference Standard

MIL-STD-883

Transistor Type

7 NPN Darlington

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

600mA

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

150°C (TJ)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

1997

Tedarikçi Cihaz Paketi

16-CDIP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

900 @ 500mA, 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

1.9V @ 600µA, 500mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

no

Collector Emitter Voltage Vceo

1.9V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

JESD-609 Kodu

e0

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Configuration

COMPLEX

Transistor Element Material

SILICON