SG2003J-883B

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 350mA, 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

no

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

JESD-609 Kodu

e0

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Type

7 NPN Darlington

RoHS Durumu

RoHS Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

500mA

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

150°C (TJ)

Yayın Yılı

1997

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polarity

NPN

Tedarikçi Cihaz Paketi

16-CDIP

Qualification Status

Not Qualified

Number Of Elements

7

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

16

Reference Standard

MIL-STD-883B

Collectoremitter Saturation Voltage

1.6V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Radyasyon Dayanımı

Yes

Pin Sayısı

16

Terminal Sayısı

16

Lifecycle Status

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

Currentcollector Ic Max

500mA

Kılıf / Paket

16-CDIP (0.300, 7.62mm)

Kurşunsuz

Contains Lead

Ambalaj

Tube

Montaj Tipi

Through Hole

Montaj

Through Hole

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Additional Feature

HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE