UMT1N-TP

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Power Dissipationmax Abs

0.15W

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

Yüzey Montaj

YES

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2004

Terminal Sayısı

6

Polaritychannel Type

PNP

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 50mA

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

GULL WING

Temel Parça No

UMT1N

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Frequency Transition

140MHz

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Currentcollector Ic Max

150mA

Transition Frequency

140MHz

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Max

150mW

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363