Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Transistor Element Material
- SILICON
- Frequency Transition
- 650MHz
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Currentcollector Ic Max
- 50mA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Polaritychannel Type
- NPN
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Transistor Type
- NPN
- Qualification Status
- Not Qualified
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 25V
- Transition Frequency
- 650MHz
- JESD-609 Kodu
- e3
- Number Of Elements
- 1
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 60 @ 4mA 10V
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Pin Sayısı
- 3
- Power Max
- 350mW
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Configuration
- SINGLE
- Terminal Sayısı
- 3
- Parça Durumu
- Last Time Buy
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Yüzey Montaj
- NO
- Jesd30 Code
- O-PBCY-T3
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors