Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Transistor Element Material
- SILICON
- Currentcollector Ic Max
- 50mA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Frequency Transition
- 650MHz
- Polaritychannel Type
- NPN
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Qualification Status
- Not Qualified
- Transistor Type
- NPN
- Transition Frequency
- 650MHz
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 25V
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 60 @ 4mA 10V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Number Of Elements
- 1
- Pin Sayısı
- 3
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Parça Durumu
- Last Time Buy
- Terminal Sayısı
- 3
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Configuration
- SINGLE
- Power Max
- 350mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Jesd30 Code
- O-PBCY-T3
- Yüzey Montaj
- NO
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors