MMSS8550-L-TP

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 80mA, 800mA

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

3

Transistor Type

PNP

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Pin Sayısı

3

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

25V

Transition Frequency

100MHz

Power Dissipationmax Abs

0.625W

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Formu

GULL WING

Currentcollector Ic Max

1.5A

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Configuration

SINGLE

Current Collector Cutoff Max

100nA

Polaritychannel Type

PNP

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Frequency Transition

100MHz

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2005

Terminal Pozisyonu

DUAL

Temel Parça No

MMSS8550

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 100mA 1V

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Parça Durumu

Active

Power Max

625mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)