MMBD4448HCQW-TP

Teknik Özellikler

Diode Type

Standard

Current Average Rectified Io

250mA

Operating Temperature Junction

150°C Max

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Output Currentmax

0.25A

Pin Sayısı

6

Operating Temperature Max

150°C

Voltage Dc Reverse Vr Max

80V

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Kurşunsuz Kodu

yes

Diode Configuration

2 Pair Common Cathode

Qualification Status

Not Qualified

Yayın Yılı

2008

Power Dissipation Max

0.2W

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

4

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Rep Pk Reverse Voltagemax

80V

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Sayısı

6

Voltage Forward Vf Max If

1.25V @ 150mA

Diode Element Material

SILICON

Reverse Recovery Time

4ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Yüzey Montaj

YES

Current Reverse Leakage Vr

100nA @ 70V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

HTS Kodu

8541.10.00.70

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

MMBD4448HC