MMBD4448HADW-TP

Teknik Özellikler

Diode Element Material

SILICON

Voltage Dc Reverse Vr Max

80V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Output Currentmax

0.25A

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Reverse Recovery Time

4ns

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Operating Temperature Junction

150°C Max

Rep Pk Reverse Voltagemax

80V

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Parça Durumu

Active

HTS Kodu

8541.10.00.70

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

4

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Terminal Formu

GULL WING

Temel Parça No

MMBD4448HA

Yüzey Montaj

YES

Current Reverse Leakage Vr

100nA @ 70V

Yayın Yılı

2005

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

JESD-609 Kodu

e3

Diode Type

Standard

Diode Configuration

2 Pair Common Anode

Current Average Rectified Io

250mA

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Qualification Status

Not Qualified

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Operating Temperature Max

150°C

Power Dissipation Max

0.2W

Voltage Forward Vf Max If

1.25V @ 150mA

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6