MMBD4448DW-TP

Teknik Özellikler

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Current Average Rectified Io

250mA

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Current Reverse Leakage Vr

2.5μA @ 75V

Yüzey Montaj

YES

Temel Parça No

MMBD4448DW

Diode Configuration

2 Independent

Diode Type

Standard

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yayın Yılı

2006

Pin Sayısı

6

Voltage Forward Vf Max If

1.25V @ 150mA

Power Dissipation Max

0.2W

Terminal Sayısı

6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Qualification Status

Not Qualified

Operating Temperature Max

150°C

Reverse Recovery Time

4ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Output Currentmax

0.25A

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Operating Temperature Junction

150°C Max

Diode Element Material

SILICON

Voltage Dc Reverse Vr Max

75V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

HTS Kodu

8541.10.00.70

Terminal Formu

GULL WING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Number Of Elements

2

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Rep Pk Reverse Voltagemax

75V

Parça Durumu

Active