Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2006
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Speed
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Voltage Dc Reverse Vr Max
- 100V
- Nonrep Pk Forward Currentmax
- 150A
- Yüzey Montaj
- NO
- Jesd30 Code
- R-PSFM-T3
- Diode Element Material
- SILICON
- Number Of Elements
- 2
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kılıf / Paket
- TO-220-3
- HTS Kodu
- 8541.10.00.80
- Diode Configuration
- 1 Pair Common Cathode
- Pin Sayısı
- 3
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Output Currentmax
- 10A
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Sayısı
- 3
- Montaj Tipi
- Through Hole
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Number Of Phases
- 1
- Operating Temperature Max
- 150°C
- Current Reverse Leakage Vr
- 150μA @ 100V
- Temel Parça No
- MBR20100CT
- Ambalaj
- Bulk
- Qualification Status
- Not Qualified
- Additional Feature
- LOW POWER LOSS
- Voltage Forward Vf Max If
- 950mV @ 20A
- Jedec95 Code
- TO-220AB
- Applications
- EFFICIENCY
- Rep Pk Reverse Voltagemax
- 100V
- Operating Temperature Junction
- -55°C~150°C
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Current Average Rectified Io
- 10A
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Diode Type
- Schottky