GS1B-LTP

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Voltage Forward Vf Max If

1V @ 1A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Configuration

SINGLE

HTS Kodu

8541.10.00.80

Terminal Pozisyonu

DUAL

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Diode Element Material

SILICON

Speed

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Output Currentmax

1A

Terminal Formu

C BEND

Rep Pk Reverse Voltagemax

100V

Capacitance Vr F

15pF @ 4V 1MHz

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Dc Reverse Vr Max

100V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Operating Temperature Max

150°C

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

DO-214AC, SMA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Temel Parça No

GS1B

Yayın Yılı

2008

Diode Type

Standard

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Current Average Rectified Io

1A

Yüzey Montaj

YES

Montaj Tipi

Surface Mount

Current Reverse Leakage Vr

10μA @ 100V

JESD-609 Kodu

e3

Jesd30 Code

R-PDSO-C2

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260