Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Resistor Base R1
- 22 k Ω
- Power Max
- 200mW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Transistor Type
- PNP - Pre-Biased
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Yayın Yılı
- 2004
- Temel Parça No
- DTA124E
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 56 @ 5mA 5V
- Resistor Emitter Base R2
- 22 k Ω
- Parça Durumu
- Obsolete
- Frequency Transition
- 250MHz
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors