DTA114TE-TP

Teknik Özellikler

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

JESD-609 Kodu

e3

Resistor Base R1

10 k Ω

Frequency Transition

250MHz

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Transition Frequency

250MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Polaritychannel Type

PNP

Kurşunsuz Kodu

yes

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Terminal Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Max

150mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Yayın Yılı

2005

Currentcollector Ic Max

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Kılıf / Paket

SOT-523

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Operating Temperature Max

150°C

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

DTA114T

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Terminal Pozisyonu

DUAL