Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2008
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 63 @ 150mA 2V
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Kılıf / Paket
- TO-261-4, TO-261AA
- Power Max
- 300mW
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 45V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Frequency Transition
- 100MHz
- Transistor Type
- NPN
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 500mV @ 50mA, 500mA
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Currentcollector Ic Max
- 1A
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors