
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 200 @ 2mA 5V
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Current Collector Cutoff Max
- 15nA ICBO
- Terminal Formu
- GULL WING
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 600mV @ 5mA, 100mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Element Material
- SILICON
- Power Dissipationmax Abs
- 0.2W
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Pin Sayısı
- 6
- ECCN Kodu
- EAR99
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transition Frequency
- 100MHz
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Terminal Sayısı
- 6
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 45V
- Power Max
- 200mW
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Frequency Transition
- 100MHz
- Number Of Elements
- 2
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yüzey Montaj
- YES
- Qualification Status
- Not Qualified
- Parça Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

