
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 650mV @ 5mA, 100mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 110 @ 2mA 5V
- Terminal Formu
- GULL WING
- Current Collector Cutoff Max
- 15nA ICBO
- Yayın Yılı
- 2001
- Polaritychannel Type
- NPN
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Power Max
- 300mW
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Frequency Transition
- 200MHz
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 45V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Transistor Application
- SWITCHING
- Yüzey Montaj
- YES
- Number Of Elements
- 2
- Parça Durumu
- Active
- Qualification Status
- Not Qualified
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transition Frequency
- 200MHz
- Pin Sayısı
- 6
- ECCN Kodu
- EAR99
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Temel Parça No
- BC847BS
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Terminal Sayısı
- 6
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

