Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Configuration
- Dual
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6 V
- Current Collector Cutoff Max
- 15nA (ICBO)
- Collector Base Voltage Vcbo
- 80 V
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Pd Power Dissipation
- 200 mW
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 200 @ 2mA, 5V
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Seri
- AECQ-HE3
- Temel Ürün No
- BC846
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 5mA, 100mA
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Ürün Tipi
- BJTs - Bipolar Transistors
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-363
- Gain Bandwidth Product Ft
- 100 MHz
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Maximum Dc Collector Current
- 100 mA
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 850 mV
- Fabrika Paket Adedi
- 3000
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Polarity
- NPN
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 65 V
- RoHS
- Details
- Dc Current Gain Hfe Max
- 450
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Frequency Transition
- 100MHz
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 200
- Ambalaj
- Cut Tape
- Power Max
- 200mW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 65V
- Ürün Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors