2N7002DW-TP

Teknik Özellikler

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Rds On Max Id Vgs

7.5 Ω @ 50mA, 5V

Current Continuous Drain Id25

115mA

Yüzey Montaj

YES

Drain Currentmax Abs Id

0.115A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Power Max

200mW

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Qualification Status

Not Qualified

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Parça Durumu

Active

Power Dissipationmax Abs

0.2W

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2008

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Fet Feature

Standard

Kurşunsuz Kodu

yes

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Drainsource On Resistancemax

13.5Ohm

Terminal Sayısı

6

Ds Breakdown Voltagemin

60V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-609 Kodu

e3

Feedback Capmax Crss

5 pF

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Formu

GULL WING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Input Capacitance Ciss Max Vds

50pF @ 25V