TC2320TG-G

Teknik Özellikler

Fet Type

N and P-Channel

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drain To Source Breakdown Voltage

200V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Continuous Drain Current Id

2A

Input Capacitance Ciss Max Vds

110pF @ 25V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Weight

84.99187mg

Rise Time

15ns

Terminal Sayısı

8

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Fall Time Typ

15 ns

Genişlik

3.9mm

Rds On Max Id Vgs

7 Ω @ 1A, 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Additional Feature

LOW THRESHOLD

Yükseklik

1.65mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

8

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Number Of Channels

2

Uzunluk

4.9mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e3

Fet Feature

Standard

Vgsth Max Id

2V @ 1mA

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

3 Weeks

Contact Plating

Tin

Turn On Delay Time

10 ns

Drainsource On Resistancemax

7Ohm