Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parça Durumu
- Active
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.6V @ 500μA, 350mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 1000 @ 350mA 2V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Currentcollector Ic Max
- 500mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 52 Weeks
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Type
- 8 NPN Darlington
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- 18-CDIP
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Yayın Yılı
- 2009
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Tube
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~125°C TA
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors