SG2003J

Teknik Özellikler

Lifecycle Status

IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)

Terminal Sayısı

16

Kılıf / Paket

16-CDIP (0.300, 7.62mm)

Collectoremitter Saturation Voltage

1.6V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Additional Feature

CMOS COMPATIBLE

Transistor Application

AMPLIFIER

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj

Through Hole

Montaj Tipi

Through Hole

Number Of Elements

7

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Output Voltage

95V

Pin Sayısı

16

Max Collector Current

500mA

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Transistor Type

7 NPN Darlington

RoHS Durumu

RoHS Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Polarity

NPN

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Yayın Yılı

1997

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Discontinued

Kurşunsuz Kodu

no

Output Current

100A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 350mA 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

1.6V @ 500μA, 350mA

Configuration

COMPLEX

Transistor Element Material

SILICON

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

JESD-609 Kodu

e0