LN100LA-G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Fet Feature

Standard

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Parça Durumu

Obsolete

Gate To Source Voltage Vgs

1.6V

Number Of Channels

2

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2014

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~125°C TJ

Continuous Drain Current Id

3mA

Drain To Source Voltage Vdss

1200V 1.2kV

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Fet Type

2 N-Channel (Cascoded)

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Vgsth Max Id

1.6V @ 10μA

Rds On Max Id Vgs

3000 Ω @ 2mA, 2.8V

Transistor Application

AMPLIFIER

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

BUTT

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-VFLGA

Terminal Sayısı

6

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Input Capacitance Ciss Max Vds

50pF @ 25V

Max Power Dissipation

350mW