Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pd Power Dissipation
- 300 mW
- Kılıf / Paket
- TO-18-3
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Ürün Durumu
- Active
- Montaj Stili
- Through Hole
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60 V
- RoHS
- N
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 45 V
- Maximum Dc Collector Current
- 30 mA
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Transistor Polarity
- NPN
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1 V
- Seri
- *
- Ambalaj
- Bulk
- Temel Ürün No
- 2N930
- Paket
- Bulk
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6 V
- Configuration
- Single
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors