Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 100 V
- Maximum Dc Collector Current
- 12 A
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 10
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 3V @ 120mA, 12A
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5 V
- Configuration
- Single
- Kılıf / Paket
- TO-254-3, TO-254AA
- Pd Power Dissipation
- 100 W
- Currentcollector Ic Max
- 12 A
- Birim Ağırlık
- 0.010582 oz
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Maximum Collector Cutoff Current
- 5 mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-254AA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 1000 @ 6A, 3V
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C ~ 175°C (TJ)
- Power Max
- 100 W
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Transistor Type
- NPN - Darlington
- Transistor Polarity
- NPN
- Ürün Tipi
- Darlington Transistors
- Paket
- Bulk
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Ürün Durumu
- Active
- Current Collector Cutoff Max
- 1mA
- Montaj Stili
- Through Hole
- Collector Base Voltage Vcbo
- 100 V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 100 V
- RoHS
- N
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors