Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Power Dissipation
- 40 W
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 80 V
- Currentcollector Ic Max
- 7 A
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- RoHS
- N
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6 V
- Configuration
- Single
- Temel Ürün No
- 2N5427
- Ürün Durumu
- Active
- Pd Power Dissipation
- 40 W
- Montaj
- Through Hole
- Collector Base Voltage Vcbo
- 80 V
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Ambalaj
- Tray
- Maximum Dc Collector Current
- 7 A
- Paket
- Bulk
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 80 V
- Montaj Stili
- Through Hole
- Power Max
- 40 W
- Transistor Polarity
- NPN
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 80 V
- Max Collector Current
- 7 A
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Kılıf / Paket
- TO-213AA, TO-66-2
- Pin Sayısı
- 3
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-66
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 700 mV
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 7A, 80V
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Transistor Type
- PNP
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors