Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 80 V
- Technology
- Si
- Transistor Polarity
- NPN
- Ürün Durumu
- Active
- Currentcollector Ic Max
- 10 A
- Radyasyon Dayanımı
- No
- RoHS
- Non-Compliant
- Pin Sayısı
- 4
- Max Power Dissipation
- 2 W
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 200 °C
- Montaj
- Stud
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Transistor Type
- NPN
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 80 V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-111
- Ürün Tipi
- BJTs - Bipolar Transistors
- Power Max
- 2 W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 40 @ 1A, 2V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 2V @ 500mA, 5A
- Paket
- Bulk
- Montaj Tipi
- Stud Mount
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA
- Collector Base Voltage Vcbo
- 100 V
- Ambalaj
- Bulk
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Max Collector Current
- 5 A
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65 °C
- Kılıf / Paket
- TO-111-4, Stud
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors