SG2013J

Teknik Özellikler

Montaj Stili

Through Hole

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

900 @ 500mA, 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

1.9V @ 600µA, 500mA

Fabrika Paket Adedi

1

Configuration

Array 7

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Temel Ürün No

SG2013

Ürün Tipi

Darlington Transistors

Çıkış Tipi

Open Collector

Transistor Type

7 NPN Darlington

Ürün Durumu

Active

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Tedarikçi Cihaz Paketi

16-CERDIP

Çalışma Sıcaklığı

-55°C ~ 125°C (TA)

Dc Collectorbase Gain Hfe Min

900

RoHS

Details

Maximum Dc Collector Current

600 mA

Collector Emitter Voltage Vceo Max

50 V

Transistor Polarity

NPN

Currentcollector Ic Max

600mA

Kılıf / Paket

16-CDIP (0.300, 7.62mm)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

+ 125 C

Paket

Tray

Montaj Tipi

Through Hole