Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Formu
- FLAT
- Yüzey Montaj
- YES
- Power Max
- 65W
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Gain
- 8.23dB ~ 9.09dB
- Kılıf / Paket
- Metal
- Polaritychannel Type
- NPN
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Case Connection
- BASE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Power Dissipation
- 65W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 28 Weeks
- Parça Durumu
- Active
- Number Of Elements
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Pin Sayısı
- 2
- Ambalaj
- Tray
- Yayın Yılı
- 2009
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Configuration
- SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Sayısı
- 2
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
- Highest Frequency Band
- S B
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 65V
- Pin Sayısı
- 2
- Max Collector Current
- 7.7A
- Transistor Type
- NPN
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors