Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Configuration
- SINGLE
- Yayın Yılı
- 1999
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Pin Sayısı
- 2
- Ambalaj
- Tray
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Max Collector Current
- 750mA
- Transistor Type
- NPN
- Terminal Sayısı
- 2
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Highest Frequency Band
- S B
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Formu
- FLAT
- Kılıf / Paket
- Metal
- Gain
- 8.5dB
- Power Max
- 5W
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Element Material
- SILICON
- Number Of Elements
- 1
- Max Power Dissipation
- 5W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 28 Weeks
- Parça Durumu
- Active
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Polaritychannel Type
- NPN
- Case Connection
- BASE
- Qualification Status
- Not Qualified
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors