Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Terminal Formu
- FLAT
- Power Max
- 9W
- Gain
- 8dB
- Kılıf / Paket
- Metal
- Polaritychannel Type
- NPN
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Qualification Status
- Not Qualified
- Case Connection
- BASE
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Power Dissipation
- 9W
- Parça Durumu
- Obsolete
- Number Of Elements
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Pin Sayısı
- 2
- Ambalaj
- Bulk
- Yayın Yılı
- 2007
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Montaj
- Chassis Mount
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Configuration
- SINGLE
- Terminal Sayısı
- 2
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Highest Frequency Band
- S B
- Max Collector Current
- 1.1A
- Transistor Type
- NPN
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors