Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tray
- Gain
- 8.58dB
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Max Collector Current
- 10.5A
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 80V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 80V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Yayın Yılı
- 2016
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Sayısı
- 2
- Highest Frequency Band
- L B
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
- Polaritychannel Type
- NPN
- Qualification Status
- Not Qualified
- Montaj
- Chassis Mount
- Transistor Type
- NPN
- Terminal Formu
- FLAT
- Pin Sayısı
- 3
- Case Connection
- BASE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 25 Weeks
- Max Power Dissipation
- 188W
- Number Of Elements
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Power Max
- 188W
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Configuration
- SINGLE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Kılıf / Paket
- Metal
- Pin Sayısı
- 2
- Parça Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors