NPT25015D

Teknik Özellikler

Drainsource On Resistancemax

0.5Ohm

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Operating Temperature Min

-40°C

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE

Operating Temperature Max

85°C

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Type

HEMT

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Yüzey Montaj

YES

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Yayın Yılı

2013

Power Dissipation Ambientmax

28W

Voltage Test

28V

Current Test

200mA

Fet Technology

HIGH ELECTRON MOBILITY

Case Connection

SOURCE

Number Of Elements

1

Gain

14dB

Ds Breakdown Voltagemin

100V

Power Output

1.5W

Terminal Pozisyonu

DUAL

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

Operating Mode

DEPLETION MODE

Terminal Sayısı

8

Frekans

0Hz~3GHz

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Terminal Formu

GULL WING

Akım Değeri

5A

Nominal Gerilim

100V

Ambalaj

Tube

Additional Feature

HIGH RELIABILITY